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深圳市港晟电子有限公司
CONQUER ELECTRONICS SHENZHEN CO.LTD
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首页 - 大地娱乐 - NCE Power (新洁能)
名    称: NCE 无锡新洁能股份有限公司
所属类别: NCE Power (新洁能)
摘    要: 超结功率MOSFET,沟槽栅场截止型IGBT

 

  无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

  公司产品凭借低损耗、高可靠性品质,已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域,获得国内外知名公司的认证。公司利用自身技术优势,与国际知名的8” 晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的质量管理体系,确保产品的持续优质和稳定供货。

  公司是高新技术企业、中国半导体功率器件十强企业(中国半导体协会,2016&2017年),拥有无锡市功率器件工程研究中心、江苏省研究生工作站,注重先进半导体功率器件的研发与产业化,多项研发成果在IEEE、ISPSD等国际期刊/国际会议上发表,并被SCI、EI索引。公司将持续加大研发投入,提升产品竞争力,目标成为具有国际竞争力的半导体功率器件产品与服务供应商。

  公司总部位于江苏无锡,设有深圳分公司。公司宗旨是诚信对待、忠诚服务所有客户和合作者,致力于建立合作共赢的长期协作关系。

 

序号 品牌 存货 规格型号 最小包装量 封装方式
1 NCE 沟槽型功率MOSFET NCE01H10 1000 TO-220
2 NCE 沟槽型功率MOSFET NCE1520AK 2500/盘 TO-252
3 NCE 功率MOSFET NCE1520K 2500/盘 TO-252
4 NCE 沟槽型功率MOSFET NCE3035Q 4K/盘 DFN3*3
5 NCE 沟槽型功率MOSFET NCE3416 3000 SOT-23
6 NCE 沟槽型功率MOSFET NCE40H12 1000 TO-220
7 NCE 沟槽型功率MOSFET NCE40H20A 1000 TO-220
8 NCE 沟槽型功率MOSFET NCE40H21C 1000 TO-220
9 NCE 沟槽型功率MOSFET NCE6020AI 1000 TO-251
10 NCE 沟槽型功率MOSFET NCE60H10 1000 TO-220
11 NCE 沟槽型功率MOSFET NCE60H15 1000 TO-220
12 NCE 超结功率MOSFET NCE65T180 1000 TO-220
13 NCE 沟槽型功率MOSFET NCE9435 4K/盘 SOP-8
14 NCE 沟槽型功率MOSFET NCEP0112AS 1000 TO-251
15 NCE 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET NCEP01T13 1000 TO-220
16 NCE 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET NCEP12T15 1000 TO-220
17 NCE 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET NCEP15T14 1K TO-220
18 NCE 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET NCEP40T11AG 5K/盘 DFN5*6
19 NCE 功率MOSFET NCEP40T11G 5K/盘 DFN5*6
20 NCE 沟槽型功率MOSFET NCEP60T12A 1000 TO-220
21 NCE 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET NCEP60T18 1000 TO-220
22 NCE 沟槽型功率MOSFET NCEP60T18A 1000 TO-220

 

手机快充同步整流MOSFET推荐


采用先进的耐压原理和优化的设计结构,全新700~900V  SJ-MOS Ⅱ系列产品为系统应用提供充足的耐压余量,简化系统设计难度,提高系统可靠性,满足客户对高耐压、低导通电阻和高效率超结MOSFET的需求。


随着信息化时代的到来,手机等电子设备的普及程度随之加大,充电时间长次数多等问题困扰着人们。而随着生活节奏的加快,手机电池容量加大,消费者迫切需要一种快速充电方案,缓解充电的烦恼。从而催生了快速充电器的发展和普及。


实现快速充电必然需要加大充电功率。大功率意味着充电器体积的增加,作为移动电子设备配件,充电器体积必须做到小型化,方便随身携带,这对电源效率,温升提出了更高的要求,所以催生了同步整流的发展。目前代表性的快充解决方案以PI,Iwatt为主。均采用同步整流,以提高电源效率,降低温度。


下图是PI QC3.0方案电路原理图。



主芯片采用SC1271K,该芯片内部集成了初级开关管、PWM 控制器、次级同步整流控制器。输出部分的协义芯片为SC0163D,完整的支持高通的 QC3.0 Class A 规格,兼容 QC2.0 的Class A 规格。


典型产品如小米5手机充电器MDY-08-EH。可实现充电5分钟能通话2.5小时。输出:5V2.5A,9V2A,12V1.5A,标称最大输出功率 18W;达到了主流快充充电器的输出水准。

  

无锡新洁能针对此应用推出了四款同步整流MOS NCEP6020ASNCE0110AS,NCE0114AS,NCEP0160G,并采用最新的Super Trench 工艺。SuperTrench MOS采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(ShieldGate Deep Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg),新款Super Trench MOS 软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰。

èNCEP6020AS(60V 20A)

- SOP-8封装
- Vth=1.7V
- Ron10=4.0mR (Typ.) 
- Ron4.5=4.4mR(Typ.)
- Qgd=10nC

èNCE0110AS

- SOP-8封装
- VDS= 100V,ID =10A
- RDS(ON)< 17m? @ VGS=10V (Typ:14m?)
- RDS(ON)< 20m? @ VGS=4.5V (Typ:15.2m?) 

èNCE0114AS

- SOP-8封装

- VDS =100V,ID =14A
- RDS(ON)=8.8mΩ (typical) @VGS=10V
- RDS(ON)=9.8mΩ (typical) @ VGS=4.5V

èNCEP0160G

- DFN5X6-8L(同SOP-8封装兼容)
- VDS =100V,ID =60A
- RDS(ON) <8.5mΩ @ VGS=10V


NCE0114AS在一款采用PI方案INN2215K方案的24W快充产品上,在较苛刻的测试条件下实测效率高达88.5%。测试条件:输入90V AC,输出8V3A。NCE0160G相比NCE0114AS,Rdson更低,电流更大,热阻低至0.7℃/W,适合一些要求更严格的场合。


同时,新洁能针对OB,Iwtt一些非集成初级MOS方案,可提供TO-251.TO-252等小体积超结MOS。相对于VDMOS,具有更低的导通电阻,利于降低导通损耗,极低的栅极电荷,提供更快的开关速度,同规格下更小的封装体积,减小产品尺寸。 TO-251,TO-252封装下最大可提供11A650V。普通VDMOS则较难做到如此小型封装。

超结产品目录:

 

 

  港晟电子品牌代理-无锡新洁能股份有限公司(NCEPower)官方网站: 可获最新信息!

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